'1000배 빨라진' 메모리 개발 [중앙일보] 2003년 07월 07일 (월) 21:12 [중앙일보 김창규 기자] 세계 반도체업체들이 실리콘 대신 게르마늄.납.티타늄 등 '금속 화합물'을 사용한 반도체 기술을 잇따라 개발하고 있다. 이에 따라 머지 않아 금속 화합물 메모리 반도체 시대가 열릴 것이라는 분석도 나오고 있다. 삼성전자는 7일 플래시메모리 등 보다 데이터 처리속도가 1천배 가량 빠른 차세대 메모리반도체 'P램'의 기술개발에 성공했다고 7일 밝혔다. 삼성전자는 P램(Phase change RAM)의 소재로 기존 실리콘 기술과 달리 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드'라는 비휘발성 물질을 이용했다. 이 제품은 기존 플래시메모리보다 속도와 내구성을 1천배 향상시킨 것이다. 상용화 될 경우 휴대전화 등에서 ..